多结dToF VCSEL芯片

瑞识多结dToF VCSEL芯片，在微小发光面积上即可实现需要多颗单结VCSEL芯片才能达到的高功率。在低占空比（千分之几）纳秒级脉宽驱动条件下，其光功率比相同驱动条件下的iToF阵列VCSEL芯片功率提升了近3-5倍。同时，光电转换效率高于普通单结VCSEL芯片平均45%的转换效率。此外，瑞识多结dToF VCSEL芯片量产完全100%国产供应链，相比同类进口芯片具有极大的价格优势。