半导体功率器件

公司主要产品包括：20V~150V沟槽型功率VDMOS（N沟道和P沟道），600V~700V超结功率MOSFET，600V~1200V沟槽栅场截止型IGBT。公司与国内*的8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。